- рекомбинация носителей заряда полупроводника
-
рекомбинация носителей заряда полупроводника
рекомбинация
Нейтрализация пары электрон проводимости - дырка проводимости.
[ГОСТ 22622-77]Тематики
- материалы полупроводниковые
Синонимы
- рекомбинация
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
Рекомбинация носителей заряда полупроводника — 51. Рекомбинация носителей заряда полупроводника Рекомбинация Нейтрализация пары электрон проводимости дырка проводимости Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — межзонная рекомбинация Ндп. прямая рекомбинация Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые, нерекомендуемые прямая рекомбинация Тематики… … Справочник технического переводчика
поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника — поверхностная рекомбинация Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы поверхностная рекомбинация … Справочник технического переводчика
фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — фотонная рекомбинация Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением фотона. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы фотонная рекомбинация … Справочник технического переводчика
Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — 52. Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Межзонная рекомбинация Ндп. Прямая рекомбинация Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону Источник: ГОСТ 22622 77:… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника — 55. Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника Поверхностная рекомбинация Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — 54. Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Фотонная рекомбинация Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Оже-рекомбинация — механизм рекомбинации в полупроводниках, при котором лишняя энергия передаётся другому электронному возбуждению. При рекомбинации электрона проводимости и дырки, электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону. При этом он теряет энергию … Википедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия